基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统

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	基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统
其他题名	基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统
	关宝璐; 杨嘉炜; 潘冠中; 刘振扬; 李鹏涛
	2016-07-13
专利权人	北京工业大学
公开日期	2016-07-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统，属于半导体光电子技术领域。包括：半导体激光器、第一3dB耦合器、延时多模光纤、声光移频器、第二3dB耦合器、光电探测器和频谱仪组成；半导体激光器输出端口为FC/PC的光纤接口，通过法兰盘将半导体激光器与第一3dB耦合器的输入端口相连接；第一3dB耦合器输出为两路，一路通过法兰盘连接延时多模光纤，另一路通过法兰盘连接声光移频器；第二3dB耦合器把延时多模光纤的输出与声光移频器的输出合为一路；第二3dB耦合器的输出端连接光电探测器，光电探测器的输出端使用BNC射频线与频谱仪相连接。可测量852nm半导体激光器的线宽，保证测试系统的精确度。
其他摘要	基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统，属于半导体光电子技术领域。包括：半导体激光器、第一3dB耦合器、延时多模光纤、声光移频器、第二3dB耦合器、光电探测器和频谱仪组成；半导体激光器输出端口为FC/PC的光纤接口，通过法兰盘将半导体激光器与第一3dB耦合器的输入端口相连接；第一3dB耦合器输出为两路，一路通过法兰盘连接延时多模光纤，另一路通过法兰盘连接声光移频器；第二3dB耦合器把延时多模光纤的输出与声光移频器的输出合为一路；第二3dB耦合器的输出端连接光电探测器，光电探测器的输出端使用BNC射频线与频谱仪相连接。可测量852nm半导体激光器的线宽，保证测试系统的精确度。
申请日期	2016-05-09
专利号	CN105758626A
专利状态	失效
申请号	CN201610302697.7
公开（公告）号	CN105758626A
IPC 分类号	G01M11/02
专利代理人	张慧
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92780
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,杨嘉炜,潘冠中,等. 基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统. CN105758626A[P]. 2016-07-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105758626A.PDF（82KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文