非対称InGaAsN垂直空胴表面放出レーザ

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	非対称InGaAsN垂直空胴表面放出レーザ
其他题名	非対称InGaAsN垂直空胴表面放出レーザ
	竹内哲也; イン-ラン·チャン; ディビッド·ピー·ブール; マイケル·エイチ·リアリー; マイケル·アール·ティ·タン
	2003-10-17
专利权人	アジレント·テクノロジーズ·インク
公开日期	2003-10-17
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 MOCVD処理を用いて製造される多種の非対称InGaAsN VCSEL構造を提供する。非対称構造を用いることにより、量子井戸活性領域のアルミニウム汚染を効率的に排除する。【解決手段】基板320と、前記基板上に形成された複数の半導体層と、量子井戸活性層350を含む前記半導体層の1つと、前記量子井戸活性層の一方の側に配置されたAlを含む第1の反射器330及び前記量子井戸活性層の反対側に配置された第2の反射器390とを含んでなり、前記半導体層の1つが窒素を含む不活性層336であり、窒素を含む前記不活性層が前記量子井戸活性層と前記基板との間に配置されている非対称垂直空胴表面放出レーザ構造とする。
其他摘要	要解决的问题：提供使用MOCVD处理制造的各种不对称InGaAsN VCSEL结构，并通过采用不对称结构消除量子阱有源区中的铝污染物。解决方案：非对称垂直腔表面发射激光器结构包括基板320，形成在基板上的多个半导体层，多个半导体层中的一个包括量子阱有源层350，包含Al的第一反射器330布置在一侧量子阱有源层和第二反射器390设置在与量子阱有源层相对的一侧上。多个半导体层中的一个是包含氮的非活性层336，其插入在量子阱有源层和基板之间。 Ž
申请日期	2003-03-25
专利号	JP2003298187A
专利状态	失效
申请号	JP2003082487
公开（公告）号	JP2003298187A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/183
专利代理人	奥山尚一 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92754
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	アジレント·テクノロジーズ·インク
推荐引用方式 GB/T 7714	竹内哲也,イン-ラン·チャン,ディビッド·ピー·ブール,等. 非対称InGaAsN垂直空胴表面放出レーザ. JP2003298187A[P]. 2003-10-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2003298187A.PDF（63KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文