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半导体激光装置
其他题名半导体激光装置
柴田裕一; 望月光之; 达川正士
2017-05-31
专利权人株式会社小糸制作所
公开日期2017-05-31
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供散热性提高的半导体激光装置。半导体激光装置(10)具有:底座(11)、在底座(11)的上表面安装的盖(12)、半导体激光元件(13)、至少一部分埋设在底座(11)中的供电部件(14)。供电部件(14)具有:与半导体激光元件(13)电连接的元件侧端子(32)、外部端子(33)。供电部件(14)的外部端子(33)从底座(11)的侧面或上表面露出,在底座(11)的下表面设置有用于安装到搭载对象的安装面(11b)。
其他摘要本发明提供散热性提高的半导体激光装置。半导体激光装置(10)具有:底座(11)、在底座(11)的上表面安装的盖(12)、半导体激光元件(13)、至少一部分埋设在底座(11)中的供电部件(14)。供电部件(14)具有:与半导体激光元件(13)电连接的元件侧端子(32)、外部端子(33)。供电部件(14)的外部端子(33)从底座(11)的侧面或上表面露出,在底座(11)的下表面设置有用于安装到搭载对象的安装面(11b)。
申请日期2015-10-08
专利号CN106797104A
专利状态授权
申请号CN201580055579.4
公开(公告)号CN106797104A
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/024
专利代理人岳雪兰
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92722
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社小糸制作所
推荐引用方式
GB/T 7714
柴田裕一,望月光之,达川正士. 半导体激光装置. CN106797104A[P]. 2017-05-31.
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