Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器高频封装用具有微带结构的热沉 | |
| 其他题名 | 半导体激光器高频封装用具有微带结构的热沉 |
| 张尚剑; 祝宁华 | |
| 2006-04-26 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2006-04-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种半导体激光器高频封装用的具有微带结构的热沉，其特征在于，其中包括：一热沉衬底；一地电极，该地电极蒸镀在热沉衬底的上表面；一电介质夹层，该电介质夹层制作在地电极上表面的一侧端；两金属导体条，该两金属导体条制作在电介质夹层的两侧，两金属导体条之间与地电极形成的凹槽被电介质夹层填充；一信号电极，该信号电极制作在电介质夹层的上表面；信号电极、金属导体条和地电极形成背地共面微带结构；一芯片，该芯片固定在地电极上表面的另一侧端，该芯片用导电金丝与信号电极连接。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器高频封装用的具有微带结构的热沉，其特征在于，其中包括：一热沉衬底；一地电极，该地电极蒸镀在热沉衬底的上表面；一电介质夹层，该电介质夹层制作在地电极上表面的一侧端；两金属导体条，该两金属导体条制作在电介质夹层的两侧，两金属导体条之间与地电极形成的凹槽被电介质夹层填充；一信号电极，该信号电极制作在电介质夹层的上表面；信号电极、金属导体条和地电极形成背地共面微带结构；一芯片，该芯片固定在地电极上表面的另一侧端，该芯片用导电金丝与信号电极连接。 |
| 申请日期 | 2004-10-20 |
| 专利号 | CN1764026A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410083868.9 |
| 公开（公告）号 | CN1764026A |
| IPC 分类号 | H01S5/024 | H05K7/20 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92629 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张尚剑,祝宁华. 半导体激光器高频封装用具有微带结构的热沉. CN1764026A[P]. 2006-04-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1764026A.PDF（301KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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