Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 垂直腔面发射激光器及其制造方法 | |
| 其他题名 | 垂直腔面发射激光器及其制造方法 |
| 赖利弘; 赖利温 | |
| 2008-10-15 | |
| 专利权人 | 海德威电子工业股份有限公司 |
| 公开日期 | 2008-10-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法。本发明的所述垂直腔面发射激光器包括：一衬底、一第一反射器、一活性层、一第二反射器、一第一电极层和一第二电极层。所述第二反射器具有一有一第一孔径的第一限制层，和一有一第二孔径的第二限制层。所述第二孔径小于所述第一孔径。根据本发明，由于所述第二限制层以下列方式形成：将氧离子注入所述第二反射器并进行加热，以使得所述氧离子与所述第二反射器内的铝成分反应而形成氧化层，因而，所述第二限制层可用作一光学和电子限制层。因此，可精确且容易地实现所述第二限制层的宽度和厚度。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法。本发明的所述垂直腔面发射激光器包括：一衬底、一第一反射器、一活性层、一第二反射器、一第一电极层和一第二电极层。所述第二反射器具有一有一第一孔径的第一限制层，和一有一第二孔径的第二限制层。所述第二孔径小于所述第一孔径。根据本发明，由于所述第二限制层以下列方式形成：将氧离子注入所述第二反射器并进行加热，以使得所述氧离子与所述第二反射器内的铝成分反应而形成氧化层，因而，所述第二限制层可用作一光学和电子限制层。因此，可精确且容易地实现所述第二限制层的宽度和厚度。 |
| 申请日期 | 2005-11-08 |
| 专利号 | CN100426605C |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200510115686.X |
| 公开（公告）号 | CN100426605C |
| IPC 分类号 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 刘国伟 |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92601 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海德威电子工业股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赖利弘,赖利温. 垂直腔面发射激光器及其制造方法. CN100426605C[P]. 2008-10-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100426605C.PDF（506KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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