利用垂直腔面发射半导体激光器制作相控阵激光装置

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	利用垂直腔面发射半导体激光器制作相控阵激光装置
其他题名	利用垂直腔面发射半导体激光器制作相控阵激光装置
	许祖彦; 崔大复; 姚爱云; 林学春; 李瑞宁
	2003-09-17
专利权人	中国科学院物理研究所
公开日期	2003-09-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种利用垂直腔面发射半导体激光器制作的相控阵激光装置，包括：计算机、总电源、种子激光器、移相器和由n个面发射半导体激光器组成的激光阵列；移相器安置在种子激光器光路前方，每个移相器前方对应安置激光阵列中的一个垂直腔面发射半导体激光器；其中总电源分别与每个垂直腔面发射半导体激光器电连接，总电源分别与计算机、种子激光器、移相器电连接。该阵列发射的激光束的方向由移相器控制，通过控制阵列中各个激光器单元的相位，使光束相干叠加，得到所需的光束指向，和在一定空域中按预定方案进行扫描。移相器由计算机控制。在扫描过程中激光器阵列保持固定，即激光器本身不需要作机械运动。
其他摘要	本发明涉及一种利用垂直腔面发射半导体激光器制作的相控阵激光装置，包括：计算机、总电源、种子激光器、移相器和由n个面发射半导体激光器组成的激光阵列；移相器安置在种子激光器光路前方，每个移相器前方对应安置激光阵列中的一个垂直腔面发射半导体激光器；其中总电源分别与每个垂直腔面发射半导体激光器电连接，总电源分别与计算机、种子激光器、移相器电连接。该阵列发射的激光束的方向由移相器控制，通过控制阵列中各个激光器单元的相位，使光束相干叠加，得到所需的光束指向，和在一定空域中按预定方案进行扫描。移相器由计算机控制。在扫描过程中激光器阵列保持固定，即激光器本身不需要作机械运动。
申请日期	2002-03-06
专利号	CN1442932A
专利状态	失效
申请号	CN02104119.9
公开（公告）号	CN1442932A
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	王凤华
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92590
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	许祖彦,崔大复,姚爱云,等. 利用垂直腔面发射半导体激光器制作相控阵激光装置. CN1442932A[P]. 2003-09-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1442932A.PDF（473KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文