Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种真空低温湿法刻蚀方法 | |
| 其他题名 | 一种真空低温湿法刻蚀方法 |
| 兰育辉; 陈宏 | |
| 2016-01-27 | |
| 专利权人 | 张家港市超声电气有限公司 |
| 公开日期 | 2016-01-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体激光二极管(LD)及光电二极管(PD)和发光二极管（LED）芯片制造领域,尤其涉及一种真空低温湿法刻蚀设备及方法，该方法包括真空芯片表面形态预处理工艺、真空芯片表面溶剂浸透预处理工艺、真空低温化学湿法刻蚀工艺。该方法解决目前由于控制参数的唯一性,虽然在线宽条件能够达到工艺要求下,产品坡度角在目前的刻蚀方法下仍无法达到产品工艺要求,从而降低了人工湿法刻蚀方法的工序控制能力,増加了产品出现不良品的概率。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体激光二极管(LD)及光电二极管(PD)和发光二极管（LED）芯片制造领域,尤其涉及一种真空低温湿法刻蚀设备及方法，该方法包括真空芯片表面形态预处理工艺、真空芯片表面溶剂浸透预处理工艺、真空低温化学湿法刻蚀工艺。该方法解决目前由于控制参数的唯一性,虽然在线宽条件能够达到工艺要求下,产品坡度角在目前的刻蚀方法下仍无法达到产品工艺要求,从而降低了人工湿法刻蚀方法的工序控制能力,増加了产品出现不良品的概率。 |
| 申请日期 | 2014-07-07 |
| 专利号 | CN105280519A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201410319809.0 |
| 公开（公告）号 | CN105280519A |
| IPC 分类号 | H01L21/67 | H01L21/30 |
| 专利代理人 | 田媛 | 靳静 |
| 代理机构 | 南京钟山专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92556 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 张家港市超声电气有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 兰育辉,陈宏. 一种真空低温湿法刻蚀方法. CN105280519A[P]. 2016-01-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105280519A.PDF（569KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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