半导体器件芯片结构及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半导体器件芯片结构及其制备方法
其他题名	半导体器件芯片结构及其制备方法
	曼玉选; 祁琼; 彭岩; 刘素平; 马骁宇
	2019-09-24
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-09-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开提供了一种半导体器件芯片结构及其制备方法，其中，所述半导体器件芯片结构的制备方法，包括以下步骤：在半导体外延片上形成光刻胶掩膜，并通过曝光后显影形成周期性结构；刻蚀去除无光刻胶掩蔽区域的部分外延层，在半导体外延片上形成脊形台面结构；在形成有脊形台面结构的所述半导体外延片的表面上沉积电绝缘介质层；去除所述脊形台面上的电绝缘介质，制作出电流注入窗口；以及在半导体外延片上形成P型电极和N型电极，由此完成半导体器件芯片结构的制备。本公开半导体器件芯片结构及其制备方法，在确保器件性能良好的前提下，简化了半导体器件的制备流程，提高了制备时效。
其他摘要	本公开提供了一种半导体器件芯片结构及其制备方法，其中，所述半导体器件芯片结构的制备方法，包括以下步骤：在半导体外延片上形成光刻胶掩膜，并通过曝光后显影形成周期性结构；刻蚀去除无光刻胶掩蔽区域的部分外延层，在半导体外延片上形成脊形台面结构；在形成有脊形台面结构的所述半导体外延片的表面上沉积电绝缘介质层；去除所述脊形台面上的电绝缘介质，制作出电流注入窗口；以及在半导体外延片上形成P型电极和N型电极，由此完成半导体器件芯片结构的制备。本公开半导体器件芯片结构及其制备方法，在确保器件性能良好的前提下，简化了半导体器件的制备流程，提高了制备时效。
申请日期	2018-03-14
专利号	CN110277733A
专利状态	申请中
申请号	CN201810212303.8
公开（公告）号	CN110277733A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/32
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92472
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	曼玉选,祁琼,彭岩,等. 半导体器件芯片结构及其制备方法. CN110277733A[P]. 2019-09-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110277733A.PDF（1073KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文