基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构

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	基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构
其他题名	基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构
	张志珂; 韩雪妍; 赵泽平; 郭锦锦; 刘建国
	2019-09-20
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-09-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括一多功能低温共烧陶瓷基板(3)、一背光探测器芯片阵列(2)和一激光器芯片阵列(1)。其中多功能低温共烧陶瓷基板(3)从下至上至少包括：用于传输高频信号的高频功能层(32)和用于传输直流信号的直流功能层(31)；背光探测器芯片阵列(2)包括N个背光探测器芯片；激光器芯片阵列(1)包括N个激光器芯片。本发明提出的基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，通过低温共烧陶瓷技术将多个功能层叠压成一体形成功能低温共烧陶瓷基板，并通过过孔结构在基板内部形成三维电路图，实现信号的传输，具有可靠性高、集成度高、体积小等特点，适用于大规模高密度阵列芯片的集成封装。
其他摘要	本发明公开了一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括一多功能低温共烧陶瓷基板(3)、一背光探测器芯片阵列(2)和一激光器芯片阵列(1)。其中多功能低温共烧陶瓷基板(3)从下至上至少包括：用于传输高频信号的高频功能层(32)和用于传输直流信号的直流功能层(31)；背光探测器芯片阵列(2)包括N个背光探测器芯片；激光器芯片阵列(1)包括N个激光器芯片。本发明提出的基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，通过低温共烧陶瓷技术将多个功能层叠压成一体形成功能低温共烧陶瓷基板，并通过过孔结构在基板内部形成三维电路图，实现信号的传输，具有可靠性高、集成度高、体积小等特点，适用于大规模高密度阵列芯片的集成封装。
申请日期	2019-06-21
专利号	CN110265876A
专利状态	申请中
申请号	CN201910546165.1
公开（公告）号	CN110265876A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/022
专利代理人	马莉
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92471
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张志珂,韩雪妍,赵泽平,等. 基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构. CN110265876A[P]. 2019-09-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110265876A.PDF（848KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文