一种垂直腔半导体光放大器，光放大系统及制备方法

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	一种垂直腔半导体光放大器，光放大系统及制备方法
其他题名	一种垂直腔半导体光放大器，光放大系统及制备方法
	张星; 吴昊; 张建伟
	2019-09-20
专利权人	长春中科长光时空光电技术有限公司
公开日期	2019-09-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种本发明所提供的一种垂直腔半导体光放大器，包括顶热沉、底热沉和至少两个光放大芯片；顶热沉和底热沉沿厚度方向相对设置，光放大芯片位于顶热沉和底热沉之间，至少两个光放大芯片沿厚度方向堆叠以固定连接；光放大芯片包括有源区，与底热沉相接触的光放大芯片为第一芯片，第一芯片还包括底腔镜；与顶热沉相接触的光放大芯片为第二芯片，第二芯片还包括顶腔镜。由于谐振腔的长度是由多个光放大芯片的厚度决定，使得该谐振腔的长度可以较长，从而当光线在谐振腔内振荡时可以有效减少谐振腔内光功率体密度，使得垂直腔半导体光放大器具有更高的光功率安全阈值。本发明还提供了一种光放大系统及制备方法，同样具有上述有益效果。
其他摘要	本发明公开了一种本发明所提供的一种垂直腔半导体光放大器，包括顶热沉、底热沉和至少两个光放大芯片；顶热沉和底热沉沿厚度方向相对设置，光放大芯片位于顶热沉和底热沉之间，至少两个光放大芯片沿厚度方向堆叠以固定连接；光放大芯片包括有源区，与底热沉相接触的光放大芯片为第一芯片，第一芯片还包括底腔镜；与顶热沉相接触的光放大芯片为第二芯片，第二芯片还包括顶腔镜。由于谐振腔的长度是由多个光放大芯片的厚度决定，使得该谐振腔的长度可以较长，从而当光线在谐振腔内振荡时可以有效减少谐振腔内光功率体密度，使得垂直腔半导体光放大器具有更高的光功率安全阈值。本发明还提供了一种光放大系统及制备方法，同样具有上述有益效果。
申请日期	2019-06-26
专利号	CN110265874A
专利状态	申请中
申请号	CN201910562970.3
公开（公告）号	CN110265874A
IPC 分类号	H01S5/187 \| H01S5/183 \| H01S5/024
专利代理人	王云晓
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92470
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春中科长光时空光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张星,吴昊,张建伟. 一种垂直腔半导体光放大器，光放大系统及制备方法. CN110265874A[P]. 2019-09-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110265874A.PDF（477KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文