包括光学连接到硅波导的激光器的光子器件及制造方法

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	包括光学连接到硅波导的激光器的光子器件及制造方法
其他题名	包括光学连接到硅波导的激光器的光子器件及制造方法
	西尔维·梅内索; 托里·蒂森
	2019-09-20
专利权人	原子能和替代能源委员会
公开日期	2019-09-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种光子器件(1)，包括：载体(120)；中间层(420)；光导级(200)，该光导级(200)包括波导(210)和第一至第五波导部分(211，212，213，214，215)。光子器件(1)还包括覆盖光导级(200)的第一电介质层(110)和与第一电介质层(110)接触的增益结构(310)。第二波导部分(212)和增益结构(310)的第一端在激光混合波导(313)和第一波导部分(211)之间形成光学模式的第一光学跃迁区域，并且第四波导部分(214)和增益结构(310)的第二端在光学混合波导(313)和第五波导部分(215)之间形成光学模式的第二光学跃迁区域。形成布拉格光栅的图案被布置在第三波导部分(213)的厚度的第一部分上，该厚度的第一部分(e1)远离增益结构(310)。
其他摘要	本发明涉及一种光子器件(1)，包括：载体(120)；中间层(420)；光导级(200)，该光导级(200)包括波导(210)和第一至第五波导部分(211，212，213，214，215)。光子器件(1)还包括覆盖光导级(200)的第一电介质层(110)和与第一电介质层(110)接触的增益结构(310)。第二波导部分(212)和增益结构(310)的第一端在激光混合波导(313)和第一波导部分(211)之间形成光学模式的第一光学跃迁区域，并且第四波导部分(214)和增益结构(310)的第二端在光学混合波导(313)和第五波导部分(215)之间形成光学模式的第二光学跃迁区域。形成布拉格光栅的图案被布置在第三波导部分(213)的厚度的第一部分上，该厚度的第一部分(e1)远离增益结构(310)。
申请日期	2019-03-11
专利号	CN110265866A
专利状态	申请中
申请号	CN201910180915.8
公开（公告）号	CN110265866A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/12 \| H01S5/125 \| H01S5/20 \| H01S5/34
专利代理人	徐川 \| 姚开丽
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92467
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	原子能和替代能源委员会
推荐引用方式 GB/T 7714	西尔维·梅内索,托里·蒂森. 包括光学连接到硅波导的激光器的光子器件及制造方法. CN110265866A[P]. 2019-09-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110265866A.PDF（2526KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文