外腔可调谐激光器及波长调谐方法

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	外腔可调谐激光器及波长调谐方法
其他题名	外腔可调谐激光器及波长调谐方法
	陈伟; 班德超; 祝宁华
	2019-08-16
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-08-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种外腔可调谐激光器及波长调谐方法，属于激光器技术领域。其中，所述外腔可调谐激光器，包括：取样波导光栅、依次按顺序放置于取样波导光栅一侧的半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直透镜；所述半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直透镜以及取样波导光栅位于同一光轴上；其中，所述半导体增益芯片依次包括取样光栅区、调相区、增益区以及分别覆盖于所述取样光栅区、调相区、增益区上方的第一电极、第二电极以及第三电极，所述增益区与所述第一准直透镜相邻，所述取样波导光栅上方覆盖有第四电极。本发明实现了激光器波长快速、大范围、精细的调谐，并且可以压窄输出波长。
其他摘要	本发明提供了一种外腔可调谐激光器及波长调谐方法，属于激光器技术领域。其中，所述外腔可调谐激光器，包括：取样波导光栅、依次按顺序放置于取样波导光栅一侧的半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直透镜；所述半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直透镜以及取样波导光栅位于同一光轴上；其中，所述半导体增益芯片依次包括取样光栅区、调相区、增益区以及分别覆盖于所述取样光栅区、调相区、增益区上方的第一电极、第二电极以及第三电极，所述增益区与所述第一准直透镜相邻，所述取样波导光栅上方覆盖有第四电极。本发明实现了激光器波长快速、大范围、精细的调谐，并且可以压窄输出波长。
申请日期	2019-05-28
专利号	CN110137800A
专利状态	申请中
申请号	CN201910450586.4
公开（公告）号	CN110137800A
IPC 分类号	H01S5/14 \| H01S5/024 \| H01S5/06
专利代理人	李佳
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92444
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈伟,班德超,祝宁华. 外腔可调谐激光器及波长调谐方法. CN110137800A[P]. 2019-08-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110137800A.PDF（462KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文