外腔可调谐激光器及波长调谐方法

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	外腔可调谐激光器及波长调谐方法
其他题名	外腔可调谐激光器及波长调谐方法
	班德超; 陈伟; 张晨玮; 祝宁华
	2019-08-09
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-08-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种外腔可调谐激光器及波长调谐方法，属于激光器技术领域。其中，外腔可调谐激光器，包括：半导体增益芯片、第一准直透镜、闪耀光栅以及与闪耀光栅相对的反光镜；半导体增益芯片、第一准直透镜以及闪耀光栅位于同一光轴上，且闪耀光栅的光栅平面与光轴存在一个大于0的夹角；其中，半导体增益芯片从左到右依次包括取样光栅区、调相区、增益区以及分别覆盖于取样光栅区、调相区、增益区上方的第一电极、第二电极以及第三电极；闪耀光栅和反射镜均固定于电动或者手动控制的机械结构上。本发明实现了激光器对波长大范围、快速、精细的调谐，并且可以压窄输出波长。
其他摘要	本发明提供了一种外腔可调谐激光器及波长调谐方法，属于激光器技术领域。其中，外腔可调谐激光器，包括：半导体增益芯片、第一准直透镜、闪耀光栅以及与闪耀光栅相对的反光镜；半导体增益芯片、第一准直透镜以及闪耀光栅位于同一光轴上，且闪耀光栅的光栅平面与光轴存在一个大于0的夹角；其中，半导体增益芯片从左到右依次包括取样光栅区、调相区、增益区以及分别覆盖于取样光栅区、调相区、增益区上方的第一电极、第二电极以及第三电极；闪耀光栅和反射镜均固定于电动或者手动控制的机械结构上。本发明实现了激光器对波长大范围、快速、精细的调谐，并且可以压窄输出波长。
申请日期	2019-05-16
专利号	CN110112652A
专利状态	申请中
申请号	CN201910410976.9
公开（公告）号	CN110112652A
IPC 分类号	H01S5/14 \| H01S5/024 \| H01S5/042
专利代理人	李佳
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92441
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	班德超,陈伟,张晨玮,等. 外腔可调谐激光器及波长调谐方法. CN110112652A[P]. 2019-08-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110112652A.PDF（778KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文