一种高功率半导体芯片及其制备方法

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	一种高功率半导体芯片及其制备方法
其他题名	一种高功率半导体芯片及其制备方法
	谭少阳; 王俊; 徐红; 闵大勇
	2019-08-09
专利权人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
公开日期	2019-08-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种高功率半导体芯片及其制备方法，该半导体芯片包括：自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、侧向光栅层、上限制层、接触层、电流隔离介质层以及金属层；其中，侧向光栅层包括多组侧向光栅，多组侧向光栅沿第一方向依次设置，多组侧向光栅的周期各不相同，每组侧向光栅包括多条光栅，多条光栅沿第二方向排布，第一方向与第二方向相交。通过在波导内设置侧向光栅层，提高了高阶光侧向模式在波导内的传播损耗，达到了抑制高阶光侧向模式激射的目的；设置多组周期不同的光栅，抑制了由于单一光栅增益调制和折射率调制引起的强度振荡光模式的激射，达到抑制侧向光强度周期振荡的作用，消除远场双峰。
其他摘要	本发明公开了一种高功率半导体芯片及其制备方法，该半导体芯片包括：自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、侧向光栅层、上限制层、接触层、电流隔离介质层以及金属层；其中，侧向光栅层包括多组侧向光栅，多组侧向光栅沿第一方向依次设置，多组侧向光栅的周期各不相同，每组侧向光栅包括多条光栅，多条光栅沿第二方向排布，第一方向与第二方向相交。通过在波导内设置侧向光栅层，提高了高阶光侧向模式在波导内的传播损耗，达到了抑制高阶光侧向模式激射的目的；设置多组周期不同的光栅，抑制了由于单一光栅增益调制和折射率调制引起的强度振荡光模式的激射，达到抑制侧向光强度周期振荡的作用，消除远场双峰。
申请日期	2019-05-13
专利号	CN110112650A
专利状态	申请中
申请号	CN201910395812.3
公开（公告）号	CN110112650A
IPC 分类号	H01S5/12
专利代理人	李博洋
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92440
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	谭少阳,王俊,徐红,等. 一种高功率半导体芯片及其制备方法. CN110112650A[P]. 2019-08-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110112650A.PDF（346KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文