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一种多波长激光器阵列及其制造方法
其他题名一种多波长激光器阵列及其制造方法
黄长统; 薛正群; 苏辉; 刘阳; 吴林福生; 杨重英
2019-07-26
专利权人深圳市特发信息股份有限公司
公开日期2019-07-26
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明实施例涉及一种多波长激光器阵列及其制造方法,所述阵列包括衬底及利用不同宽度的介质掩膜在衬底上生长的多个波长不同的选择生长区域外延层,所述选择生长区域外延层自下而上依次包括缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层;在选择生长区域的覆盖层和在选择生长区域以外的区域自下而上依次包括腐蚀停止层、空间层、过渡层和欧姆接触层。该阵列实现了单片上多波长输出的激光器阵列,降低了激光器实际应用成本,减小了体积。
其他摘要本发明实施例涉及一种多波长激光器阵列及其制造方法,所述阵列包括衬底及利用不同宽度的介质掩膜在衬底上生长的多个波长不同的选择生长区域外延层,所述选择生长区域外延层自下而上依次包括缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层;在选择生长区域的覆盖层和在选择生长区域以外的区域自下而上依次包括腐蚀停止层、空间层、过渡层和欧姆接触层。该阵列实现了单片上多波长输出的激光器阵列,降低了激光器实际应用成本,减小了体积。
申请日期2018-12-07
专利号CN110061423A
专利状态申请中
申请号CN201811496382.6
公开(公告)号CN110061423A
IPC 分类号H01S5/343 | H01S5/22 | H01S5/40
专利代理人姚正阳 | 张田勇
代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92435
专题半导体激光器专利数据库
作者单位深圳市特发信息股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
黄长统,薛正群,苏辉,等. 一种多波长激光器阵列及其制造方法. CN110061423A[P]. 2019-07-26.
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CN110061423A.PDF(289KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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