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一种垂直面射型的激光结构及制作方法
其他题名一种垂直面射型的激光结构及制作方法
彭钰仁
2019-07-23
专利权人厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期2019-07-23
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供了一种垂直面射型的激光结构及制作方法,该垂直面射型的激光结构中,将所述氧化层的未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构,在垂直于所述衬底的方向上,同心设置,并且,所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度,所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。该P型欧姆接触层的尺寸定义了增益限制尺寸,氧化层的未氧化区域的尺寸定义了光学限制尺寸,进而实现了将增益限制和光学限制分开独立控制的高功率单模激光结构。
其他摘要本发明提供了一种垂直面射型的激光结构及制作方法,该垂直面射型的激光结构中,将所述氧化层的未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构,在垂直于所述衬底的方向上,同心设置,并且,所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度,所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。该P型欧姆接触层的尺寸定义了增益限制尺寸,氧化层的未氧化区域的尺寸定义了光学限制尺寸,进而实现了将增益限制和光学限制分开独立控制的高功率单模激光结构。
申请日期2019-05-21
专利号CN110048306A
专利状态申请中
申请号CN201910423254.7
公开(公告)号CN110048306A
IPC 分类号H01S5/183 | H01S5/187
专利代理人王宝筠
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92431
专题半导体激光器专利数据库
作者单位厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
彭钰仁. 一种垂直面射型的激光结构及制作方法. CN110048306A[P]. 2019-07-23.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN110048306A.PDF(2742KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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