表面发射激光器器件和包括其的发光器件

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	表面发射激光器器件和包括其的发光器件
其他题名	表面发射激光器器件和包括其的发光器件
	姜镐在; 张正训
	2019-07-16
专利权人	LG 伊诺特有限公司
公开日期	2019-07-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件。根据实施例的表面发射激光器器件包括：第一反射层和第二反射层；以及布置在第一反射层和第二反射层之间的有源区，其中第一反射层包括第一组第一反射层和第二组第一反射层，并且第二反射层包括第一组第二反射层和第二组第二反射层。第一组第二反射层可以包括：第二‑第一反射层，其具有第一铝浓度；第二‑第二反射层，其具有高于第一铝浓度的第二铝浓度并且布置在第二‑第一反射层的一侧上；以及第二‑第三反射层，其具有从第一铝浓度变化到第二铝浓度的第三铝浓度并且布置在第二‑第一反射层和第二‑第二反射层之间。
其他摘要	实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件。根据实施例的表面发射激光器器件包括：第一反射层和第二反射层；以及布置在第一反射层和第二反射层之间的有源区，其中第一反射层包括第一组第一反射层和第二组第一反射层，并且第二反射层包括第一组第二反射层和第二组第二反射层。第一组第二反射层可以包括：第二‑第一反射层，其具有第一铝浓度；第二‑第二反射层，其具有高于第一铝浓度的第二铝浓度并且布置在第二‑第一反射层的一侧上；以及第二‑第三反射层，其具有从第一铝浓度变化到第二铝浓度的第三铝浓度并且布置在第二‑第一反射层和第二‑第二反射层之间。
申请日期	2019-01-07
专利号	CN110021875A
专利状态	申请中
申请号	CN201910011550
公开（公告）号	CN110021875A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/028 \| H01S5/34
专利代理人	达小丽 \| 夏凯
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92427
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG 伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	姜镐在,张正训. 表面发射激光器器件和包括其的发光器件. CN110021875A[P]. 2019-07-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110021875A.PDF（1417KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文