Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体器件及制备方法 | |
| 其他题名 | 一种半导体器件及制备方法 |
| 王俊; 周立; 谭少阳; 赵智德; 肖啸; 吴涛 | |
| 2019-06-21 | |
| 专利权人 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 公开日期 | 2019-06-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及制备方法，包括：衬底；若干发光单元，设置于衬底上，若干发光单元间隔设置，发光单元内发光点的宽度与发光单元的周期比值在80％～95％范围内。通过实施本发明，可以有效降低芯片串联电阻，进而使得该半导体器件在大工作电流条件下，可以提高半导体器件的电光转换效率，并且实现在相同功率输出时有利于减小该半导体器件的光谱半高宽及半导体器件材料的损伤。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及制备方法，包括：衬底；若干发光单元，设置于衬底上，若干发光单元间隔设置，发光单元内发光点的宽度与发光单元的周期比值在80％～95％范围内。通过实施本发明，可以有效降低芯片串联电阻，进而使得该半导体器件在大工作电流条件下，可以提高半导体器件的电光转换效率，并且实现在相同功率输出时有利于减小该半导体器件的光谱半高宽及半导体器件材料的损伤。 |
| 申请日期 | 2019-02-01 |
| 专利号 | CN109921283A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910105817.8 |
| 公开（公告）号 | CN109921283A |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 李博洋 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92417 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,周立,谭少阳,等. 一种半导体器件及制备方法. CN109921283A[P]. 2019-06-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109921283A.PDF（646KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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