一种半导体发光器件及其制备方法

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	一种半导体发光器件及其制备方法
其他题名	一种半导体发光器件及其制备方法
	钟志白; 李佳恩; 连燕玲; 卓昌正; 徐宸科; 康俊勇; 苏住裕
	2019-06-07
专利权人	厦门市三安光电科技有限公司
公开日期	2019-06-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种半导体发光器件制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层，所述牺牲层形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。采用激光对半导体发光器件进行切割划片时，首先对牺牲层进行刻蚀，牺牲层能够吸收激光的能量，作为能量缓冲层和扩散层，避免绝缘保护层因能量骤增导致的破裂等损坏。在激光作用下，牺牲层被激光灼烧掉，不会存留对半导体发光器件产生影响的残留物，不会对半导体发光器件的性能产生影响。
其他摘要	本发明提供一种半导体发光器件制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层，所述牺牲层形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。采用激光对半导体发光器件进行切割划片时，首先对牺牲层进行刻蚀，牺牲层能够吸收激光的能量，作为能量缓冲层和扩散层，避免绝缘保护层因能量骤增导致的破裂等损坏。在激光作用下，牺牲层被激光灼烧掉，不会存留对半导体发光器件产生影响的残留物，不会对半导体发光器件的性能产生影响。
申请日期	2019-03-26
专利号	CN109860369A
专利状态	申请中
申请号	CN201910233163.7
公开（公告）号	CN109860369A
IPC 分类号	H01L33/44 \| H01L33/00 \| H01S5/323
专利代理人	陈敏
代理机构	北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92407
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门市三安光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	钟志白,李佳恩,连燕玲,等. 一种半导体发光器件及其制备方法. CN109860369A[P]. 2019-06-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109860369A.PDF（1501KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文