一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法

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	一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法
其他题名	一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法
	关宝璐; 张成龙; 杨悦; 吴宇辰
	2019-05-31
专利权人	北京工业大学
公开日期	2019-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法，属于光学技术领域。包括半导体衬底，半导体增益谐振腔，绝缘介质层(3)，金属包裹层，在半导体衬底上有半导体增益谐振腔阵列，即在半导体衬底和半导体增益谐振腔阵列的表面设有绝缘介质层，绝缘介质层将每个半导体增益谐振腔包裹，同时绝缘介质层还保持半导体增益谐振腔阵列的图形，即形成半导体增益谐振腔‑绝缘介质层阵列，在绝缘介质层上设有金属包裹层，同时金属包裹层还填充了绝缘介质层上的阵列图形。本发明相邻谐振腔之间的表面等离子模式(倏逝波)相互之间可以进行互相耦合，从而提高了纳米激光器的性能，并实现超高密度等离子体激光器面阵输出。
其他摘要	一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法，属于光学技术领域。包括半导体衬底，半导体增益谐振腔，绝缘介质层(3)，金属包裹层，在半导体衬底上有半导体增益谐振腔阵列，即在半导体衬底和半导体增益谐振腔阵列的表面设有绝缘介质层，绝缘介质层将每个半导体增益谐振腔包裹，同时绝缘介质层还保持半导体增益谐振腔阵列的图形，即形成半导体增益谐振腔‑绝缘介质层阵列，在绝缘介质层上设有金属包裹层，同时金属包裹层还填充了绝缘介质层上的阵列图形。本发明相邻谐振腔之间的表面等离子模式(倏逝波)相互之间可以进行互相耦合，从而提高了纳米激光器的性能，并实现超高密度等离子体激光器面阵输出。
申请日期	2019-03-19
专利号	CN109830886A
专利状态	申请中
申请号	CN201910209417.1
公开（公告）号	CN109830886A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S5/40 \| H01S5/30 \| H01S5/10 \| H01S5/04 \| H01S5/042
专利代理人	张立改
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92400
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,张成龙,杨悦,等. 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法. CN109830886A[P]. 2019-05-31.

条目包含的文件
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CN109830886A.PDF（1457KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文