Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种盘型激光器件 | |
| 其他题名 | 一种盘型激光器件 |
| 张昭宇; 周陶杰; 项国洪; 方铉; 项博媛 | |
| 2019-04-16 | |
| 专利权人 | 香港中文大学(深圳) |
| 公开日期 | 2019-04-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一盘型激光器件包括衬底、形成于所述衬底上的缺陷抑制层、形成于所述缺陷抑制层上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的牺牲层及形成于所述牺牲层上的有源区；所述盘型激光器件的直径为0.5～10um。本发明的盘型激光器件包括衬底、形成于衬底上的缺陷抑制层、形成于缺陷抑制层上的缓冲层、形成于缓冲层上的牺牲层及形成于牺牲层上的有源区；盘型激光器件的直径为0.5～10um；不仅尺寸小，能够很好地应用于大面积及高密度集成的硅基光芯片，且该盘型激光器件具有优良的发光强度及阈值。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一盘型激光器件包括衬底、形成于所述衬底上的缺陷抑制层、形成于所述缺陷抑制层上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的牺牲层及形成于所述牺牲层上的有源区；所述盘型激光器件的直径为0.5～10um。本发明的盘型激光器件包括衬底、形成于衬底上的缺陷抑制层、形成于缺陷抑制层上的缓冲层、形成于缓冲层上的牺牲层及形成于牺牲层上的有源区；盘型激光器件的直径为0.5～10um；不仅尺寸小，能够很好地应用于大面积及高密度集成的硅基光芯片，且该盘型激光器件具有优良的发光强度及阈值。 |
| 申请日期 | 2018-12-24 |
| 专利号 | CN109638647A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811580248.4 |
| 公开（公告）号 | CN109638647A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 逯恒 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92380 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 香港中文大学(深圳) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张昭宇,周陶杰,项国洪,等. 一种盘型激光器件. CN109638647A[P]. 2019-04-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109638647A.PDF（469KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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