Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 |
| 李亚节; 周旭亮; 王梦琦; 于红艳; 杨文宇; 潘教青; 王圩 | |
| 2019-04-16 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-04-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种电注入硅基III‑V族边发射纳米线激光器的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅层，在所述二氧化硅层上刻蚀矩形沟槽；在矩形沟槽下方的所述SOI衬底的顶层硅中腐蚀v形沟槽，与所述矩形沟槽连通形成连通沟槽；在所述连通沟槽中生长硅基III‑V族边发射纳米线激光器的外延结构；在所述硅基III‑V族边发射纳米线激光器上制备金属电极图形。本发明为在SOI衬底上外延的III‑V族纳米线材料提供了实现电注入的工艺方法，同时所制备的电极可以用于测试硅基III‑V族边发射纳米线激光器动态特性。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种电注入硅基III‑V族边发射纳米线激光器的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅层，在所述二氧化硅层上刻蚀矩形沟槽；在矩形沟槽下方的所述SOI衬底的顶层硅中腐蚀v形沟槽，与所述矩形沟槽连通形成连通沟槽；在所述连通沟槽中生长硅基III‑V族边发射纳米线激光器的外延结构；在所述硅基III‑V族边发射纳米线激光器上制备金属电极图形。本发明为在SOI衬底上外延的III‑V族纳米线材料提供了实现电注入的工艺方法，同时所制备的电极可以用于测试硅基III‑V族边发射纳米线激光器动态特性。 |
| 申请日期 | 2019-01-31 |
| 专利号 | CN109638648A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910102887.8 |
| 公开（公告）号 | CN109638648A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 李佳 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92377 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李亚节,周旭亮,王梦琦,等. 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法. CN109638648A[P]. 2019-04-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109638648A.PDF（1410KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [李亚节]的文章 |
| [周旭亮]的文章 |
| [王梦琦]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [李亚节]的文章 |
| [周旭亮]的文章 |
| [王梦琦]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [李亚节]的文章 |
| [周旭亮]的文章 |
| [王梦琦]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论