低啁啾分布布拉格反射可调谐激光器及其制备方法

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	低啁啾分布布拉格反射可调谐激光器及其制备方法
其他题名	低啁啾分布布拉格反射可调谐激光器及其制备方法
	周代兵; 刘云龙; 赵玲娟; 梁松; 王圩
	2019-04-02
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-04-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开提供了一种低啁啾分布布拉格反馈可调谐激光器及其制备方法，其中低啁啾分布布拉格反馈可调谐激光器，包括：位于同一衬底、等高且顺次贴合的前光栅区、增益区、相位区和后光栅区；所述前光栅区、后光栅区和相位区均包括无源材料层，所述无源材料层置于所述衬底上，所述前光栅区和后光栅区在所述无源材料层上还分别设有光栅结构；所述光栅结构为均匀周期的分布布拉格光栅和/或取样光栅；所述增益区，自下而上顺次包括：下波导层、有源层和上波导层。本公开中前光栅区和后光栅区的均匀周期的分布布拉格光栅结构，并结合相位区的电流作用，控制并减少可调谐激光器的啁啾，延长光的传输距离并提高传输质量。
其他摘要	本公开提供了一种低啁啾分布布拉格反馈可调谐激光器及其制备方法，其中低啁啾分布布拉格反馈可调谐激光器，包括：位于同一衬底、等高且顺次贴合的前光栅区、增益区、相位区和后光栅区；所述前光栅区、后光栅区和相位区均包括无源材料层，所述无源材料层置于所述衬底上，所述前光栅区和后光栅区在所述无源材料层上还分别设有光栅结构；所述光栅结构为均匀周期的分布布拉格光栅和/或取样光栅；所述增益区，自下而上顺次包括：下波导层、有源层和上波导层。本公开中前光栅区和后光栅区的均匀周期的分布布拉格光栅结构，并结合相位区的电流作用，控制并减少可调谐激光器的啁啾，延长光的传输距离并提高传输质量。
申请日期	2018-12-03
专利号	CN109560459A
专利状态	申请中
申请号	CN201811471393.9
公开（公告）号	CN109560459A
IPC 分类号	H01S5/125 \| H01S5/22 \| H01S5/343
专利代理人	李坤
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92367
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周代兵,刘云龙,赵玲娟,等. 低啁啾分布布拉格反射可调谐激光器及其制备方法. CN109560459A[P]. 2019-04-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109560459A.PDF（614KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文