面发光量子级联激光器

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	面发光量子级联激光器
其他题名	面发光量子级联激光器
	斋藤真司; 角野努; 桥本玲; 金子桂; 甲斐康伸
	2019-03-05
专利权人	株式会社东芝
公开日期	2019-03-05
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。
其他摘要	本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。
申请日期	2018-09-05
专利号	CN109428262A
专利状态	申请中
申请号	CN201811029974.7
公开（公告）号	CN109428262A
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01S5/34
专利代理人	刘英华
代理机构	永新专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92340
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社东芝
推荐引用方式 GB/T 7714	斋藤真司,角野努,桥本玲,等. 面发光量子级联激光器. CN109428262A[P]. 2019-03-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109428262A.PDF（2089KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文