单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器

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	单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器
其他题名	单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器
	郑婉华; 陈忠浩; 赵少宇; 周旭彦; 渠红伟; 齐爱谊
	2019-03-01
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-03-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器，包括：一外延结构；一脊波导结构及侧向耦合光子晶体，制作于上述外延结构表面；一介质层，制作于上述脊波导结构及侧向耦合光子晶体表面，其中脊波导上的介质层需要去除，用于实现电流注入；一P型电极，制作于P型脊波导及介质层上；以及一N型电极，制作于外延结构下方；其中，外延结构中引入了光子晶体结构。该光子晶体结构在保证激光器在单模工作的同时降低器件的垂直发散角，进而提高光纤耦合效率并降低光纤耦合成本及其系统复杂性；此外，该光子晶体结构还能提高器件的单管出光功率，该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现窄线宽输出，制备简单，工艺成本低。
其他摘要	本发明公开了一种单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器，包括：一外延结构；一脊波导结构及侧向耦合光子晶体，制作于上述外延结构表面；一介质层，制作于上述脊波导结构及侧向耦合光子晶体表面，其中脊波导上的介质层需要去除，用于实现电流注入；一P型电极，制作于P型脊波导及介质层上；以及一N型电极，制作于外延结构下方；其中，外延结构中引入了光子晶体结构。该光子晶体结构在保证激光器在单模工作的同时降低器件的垂直发散角，进而提高光纤耦合效率并降低光纤耦合成本及其系统复杂性；此外，该光子晶体结构还能提高器件的单管出光功率，该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现窄线宽输出，制备简单，工艺成本低。
申请日期	2018-11-23
专利号	CN109412015A
专利状态	申请中
申请号	CN201811413062.X
公开（公告）号	CN109412015A
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/22 \| H01S5/34
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92339
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郑婉华,陈忠浩,赵少宇,等. 单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器. CN109412015A[P]. 2019-03-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109412015A.PDF（473KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文