Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| GaN基激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | GaN基激光器及其制备方法 |
| 孙慧卿; 张和伟; 郭志友 | |
| 2019-02-15 | |
| 专利权人 | 华南师范大学 |
| 公开日期 | 2019-02-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种GaN基激光器及其制备方法，其包括叠置于衬底表面的n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、p型限制层以及p型接触层，其特征在于，还包括，位于所述n型波导层与所述有源区之间的n型空穴阻挡层，位于所述p型波导层与所述p型限制层之间的p型电子阻挡层，所述P型波导层、P型电子阻挡层、P型限制层以及P型接触层构成脊台结构。本发明激光器在p型波导层与限制层之间形成高的势垒，有效阻止电子泄漏到有源区以外靠近p区的位置；且在n型波导层和有源区之间形成高的势垒，从而有效阻止空穴泄漏到有源区以外靠近n区的位置，降低GaN基紫外激光器的阈值电流，提高功率和光电转换效率。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种GaN基激光器及其制备方法，其包括叠置于衬底表面的n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、p型限制层以及p型接触层，其特征在于，还包括，位于所述n型波导层与所述有源区之间的n型空穴阻挡层，位于所述p型波导层与所述p型限制层之间的p型电子阻挡层，所述P型波导层、P型电子阻挡层、P型限制层以及P型接触层构成脊台结构。本发明激光器在p型波导层与限制层之间形成高的势垒，有效阻止电子泄漏到有源区以外靠近p区的位置；且在n型波导层和有源区之间形成高的势垒，从而有效阻止空穴泄漏到有源区以外靠近n区的位置，降低GaN基紫外激光器的阈值电流，提高功率和光电转换效率。 |
| 申请日期 | 2018-11-16 |
| 专利号 | CN109346923A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811367240.X |
| 公开（公告）号 | CN109346923A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 李斌 |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92329 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙慧卿,张和伟,郭志友. GaN基激光器及其制备方法. CN109346923A[P]. 2019-02-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109346923A.PDF（469KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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