Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用 | |
其他题名 | 一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用 |
罗玉辉; 程元红; 邝智豪; 黄逸生 | |
2019-01-15 | |
专利权人 | 深亮智能技术(中山)有限公司 |
公开日期 | 2019-01-15 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开了一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用。具体地,所述工艺是在砷化镓片表面淀积SiO2薄膜层,然后光刻并腐蚀出SiO2掩模层;使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO2掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻,蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。本发明不产生侧向蚀刻,蚀刻出来的砷化镓侧壁和底面比较光滑。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用。具体地,所述工艺是在砷化镓片表面淀积SiO2薄膜层,然后光刻并腐蚀出SiO2掩模层;使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO2掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻,蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。本发明不产生侧向蚀刻,蚀刻出来的砷化镓侧壁和底面比较光滑。 |
申请日期 | 2018-08-22 |
专利号 | CN109216183A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201810959093.9 |
公开(公告)号 | CN109216183A |
IPC 分类号 | H01L21/3065 | H01L21/308 | H01S5/183 |
专利代理人 | 王洪娟 | 马赟斋 |
代理机构 | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92319 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 深亮智能技术(中山)有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗玉辉,程元红,邝智豪,等. 一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用. CN109216183A[P]. 2019-01-15. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109216183A.PDF(760KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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