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一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用
其他题名一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用
罗玉辉; 程元红; 邝智豪; 黄逸生
2019-01-15
专利权人深亮智能技术(中山)有限公司
公开日期2019-01-15
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用。具体地,所述工艺是在砷化镓片表面淀积SiO2薄膜层,然后光刻并腐蚀出SiO2掩模层;使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO2掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻,蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。本发明不产生侧向蚀刻,蚀刻出来的砷化镓侧壁和底面比较光滑。
其他摘要本发明公开了一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用。具体地,所述工艺是在砷化镓片表面淀积SiO2薄膜层,然后光刻并腐蚀出SiO2掩模层;使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO2掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻,蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。本发明不产生侧向蚀刻,蚀刻出来的砷化镓侧壁和底面比较光滑。
申请日期2018-08-22
专利号CN109216183A
专利状态申请中
申请号CN201810959093.9
公开(公告)号CN109216183A
IPC 分类号H01L21/3065 | H01L21/308 | H01S5/183
专利代理人王洪娟 | 马赟斋
代理机构广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92319
专题半导体激光器专利数据库
作者单位深亮智能技术(中山)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
罗玉辉,程元红,邝智豪,等. 一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用. CN109216183A[P]. 2019-01-15.
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