一种采用多周期表面DFB光反馈系统抑制1550nm SLD器件F-P激射的方法

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	一种采用多周期表面DFB光反馈系统抑制1550nm SLD器件F-P激射的方法
其他题名	一种采用多周期表面DFB光反馈系统抑制1550nm SLD器件F-P激射的方法
	张晶; 孙春明; 祝子翔; 乔忠良; 高欣; 薄报学; 李辉; 王宪涛; 魏志鹏; 马晓辉
	2019-01-15
专利权人	长春理工大学
公开日期	2019-01-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种采用多周期表面DFB光反馈系统来抑制SLD器件的F‑P激射的方法属于光电子器件的结构设计与制备工艺领域。已知普通超辐射发光二极管不足之处是在传统激光器结构基础上，通过各种局部结构调整来破坏法布里‑珀罗(Fabry‑Perot，F‑P)型前后腔面之间的光振荡，进而抑制光激射的发生，该类SLD发光稳定性差、器件老化时会产生激射。本发明不单纯地抑制F‑P振荡，而是在各种传统抑制F‑P振荡的基础上，引入另外一个完全不同的光振荡系统，该光振荡系统参与竞争高能级载流子以达到钳制腔面间的F‑P增益、湮灭F‑P激射的目的，在确保该光振荡系统具有模式竞争能力强、对增加器件功率有益、对扩展光谱宽度有益等优点，并且在大电流注入下该光振荡系统不具备单独激射能力的同时，该结构器件只依靠后期制作工艺就能够实现，规避开二次外延生长工艺。
其他摘要	一种采用多周期表面DFB光反馈系统来抑制SLD器件的F‑P激射的方法属于光电子器件的结构设计与制备工艺领域。已知普通超辐射发光二极管不足之处是在传统激光器结构基础上，通过各种局部结构调整来破坏法布里‑珀罗(Fabry‑Perot，F‑P)型前后腔面之间的光振荡，进而抑制光激射的发生，该类SLD发光稳定性差、器件老化时会产生激射。本发明不单纯地抑制F‑P振荡，而是在各种传统抑制F‑P振荡的基础上，引入另外一个完全不同的光振荡系统，该光振荡系统参与竞争高能级载流子以达到钳制腔面间的F‑P增益、湮灭F‑P激射的目的，在确保该光振荡系统具有模式竞争能力强、对增加器件功率有益、对扩展光谱宽度有益等优点，并且在大电流注入下该光振荡系统不具备单独激射能力的同时，该结构器件只依靠后期制作工艺就能够实现，规避开二次外延生长工艺。
申请日期	2017-07-05
专利号	CN109217106A
专利状态	申请中
申请号	CN201710541987.1
公开（公告）号	CN109217106A
IPC 分类号	H01S5/12
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92318
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张晶,孙春明,祝子翔,等. 一种采用多周期表面DFB光反馈系统抑制1550nm SLD器件F-P激射的方法. CN109217106A[P]. 2019-01-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109217106A.PDF（425KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文