一种超快脉冲压缩系统及制备方法

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	一种超快脉冲压缩系统及制备方法
其他题名	一种超快脉冲压缩系统及制备方法
	闫培光; 陈浩; 尹金德; 邢凤飞
	2019-01-11
专利权人	深圳大学
公开日期	2019-01-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明适用于激光技术领域，提供了一种超快脉冲压缩系统及制备方法，超快脉冲压缩系统包括：硅表面绝缘衬底、高分子有机聚合物衬底、压电陶瓷系统和低维层状材料；硅表面绝缘衬底的硅表面制备有波导和光栅耦合器；高分子有机聚合物衬底与波导贴合，高分子有机聚合物衬底与波导之间包括有低维层状材料，高分子有机聚合物衬底的两端覆盖在压电陶瓷系统上；压电陶瓷系统通过高分子有机聚合物衬底对低维层状材料提供均匀的横向应力，从而调制光脉冲信号的脉冲宽度。本发明所提供的超快脉冲压缩系统结构紧凑、受力面积均匀、具有较长的使用寿命和较高的抗疲劳性能，能够主动控制脉冲压缩程度，具有批量可控制备，片上集成等优点。
其他摘要	本发明适用于激光技术领域，提供了一种超快脉冲压缩系统及制备方法，超快脉冲压缩系统包括：硅表面绝缘衬底、高分子有机聚合物衬底、压电陶瓷系统和低维层状材料；硅表面绝缘衬底的硅表面制备有波导和光栅耦合器；高分子有机聚合物衬底与波导贴合，高分子有机聚合物衬底与波导之间包括有低维层状材料，高分子有机聚合物衬底的两端覆盖在压电陶瓷系统上；压电陶瓷系统通过高分子有机聚合物衬底对低维层状材料提供均匀的横向应力，从而调制光脉冲信号的脉冲宽度。本发明所提供的超快脉冲压缩系统结构紧凑、受力面积均匀、具有较长的使用寿命和较高的抗疲劳性能，能够主动控制脉冲压缩程度，具有批量可控制备，片上集成等优点。
申请日期	2018-10-24
专利号	CN109188732A
专利状态	申请中
申请号	CN201811241958.4
公开（公告）号	CN109188732A
IPC 分类号	G02F1/01 \| H01S3/00 \| H01S5/00
专利代理人	袁文英
代理机构	深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92317
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	深圳大学
推荐引用方式 GB/T 7714	闫培光,陈浩,尹金德,等. 一种超快脉冲压缩系统及制备方法. CN109188732A[P]. 2019-01-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109188732A.PDF（487KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文