一种激光器晶圆、激光器芯片及其制作方法

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	一种激光器晶圆、激光器芯片及其制作方法
其他题名	一种激光器晶圆、激光器芯片及其制作方法
	李密锋; 方娜; 陈如山; 王艳; 程宗鸿; 李中坤; 余兵; 吴倩
	2018-12-18
专利权人	武汉电信器件有限公司
公开日期	2018-12-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种激光器晶圆、激光器芯片及其制作方法，该激光器晶圆包括多个激光器芯片，激光器晶圆的正面设置有第一金属层，激光器晶圆的背面设置有第二金属层；其中，相邻激光器芯片之间设置有解理区域，解理区域由在生长第一金属层和第二金属层之前以光刻胶制作掩膜层以定义解理区域图案，并在解理前通过腐蚀液清洗掩膜层得到；第一金属层和第二金属层在解理区域断开，以通过解理区域对激光器晶圆进行解理得到激光器芯片。该激光器晶圆的解理区域没有被金属层覆盖，在对激光器晶圆进行解理的过程中，无需对金属层进行解理操作，不会出现金属层无法有效断裂进而导致金属层容易被拉扯而脱落情况，提高产品的良率。
其他摘要	本发明提供了一种激光器晶圆、激光器芯片及其制作方法，该激光器晶圆包括多个激光器芯片，激光器晶圆的正面设置有第一金属层，激光器晶圆的背面设置有第二金属层；其中，相邻激光器芯片之间设置有解理区域，解理区域由在生长第一金属层和第二金属层之前以光刻胶制作掩膜层以定义解理区域图案，并在解理前通过腐蚀液清洗掩膜层得到；第一金属层和第二金属层在解理区域断开，以通过解理区域对激光器晶圆进行解理得到激光器芯片。该激光器晶圆的解理区域没有被金属层覆盖，在对激光器晶圆进行解理的过程中，无需对金属层进行解理操作，不会出现金属层无法有效断裂进而导致金属层容易被拉扯而脱落情况，提高产品的良率。
申请日期	2018-08-29
专利号	CN109038206A
专利状态	授权
申请号	CN201810995988.8
公开（公告）号	CN109038206A
IPC 分类号	H01S5/02
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92295
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉电信器件有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李密锋,方娜,陈如山,等. 一种激光器晶圆、激光器芯片及其制作方法. CN109038206A[P]. 2018-12-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109038206A.PDF（674KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文