Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法 | |
其他题名 | 一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法 |
杨帆; 胡忞远; 赵建宜; 阳红涛; 刘应军 | |
2018-12-04 | |
专利权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
公开日期 | 2018-12-04 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明实施例提供一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法。所述光栅包括依次外延的第一层、第二层和第三层;其中,所述第二层为凹槽状的周期结构,所述第三层填充所述第二层凹槽并向外延展,所述第二层的材料与所述第三层的材料的折射率不相同;所述光栅的一个光栅周期的范围为200~280nm,占空比为1:1;所述凹槽深度为光栅深度,所述光栅深度范围为300~420nm。本发明实施例在刻蚀光栅区域时,通过调整RIE设备刻蚀气体流量、腔体压力、射频功率等参数,克服了刻蚀过程中的Lag效应,刻蚀出深宽比达到3:1的光栅图形,获得预设深宽比光栅,光栅的深宽比高,光栅耦合系数大,可替代均匀光栅结构最小光栅区长度的取样光栅,节省EBL制作成本,缩短制作周期。 |
其他摘要 | 本发明实施例提供一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法。所述光栅包括依次外延的第一层、第二层和第三层;其中,所述第二层为凹槽状的周期结构,所述第三层填充所述第二层凹槽并向外延展,所述第二层的材料与所述第三层的材料的折射率不相同;所述光栅的一个光栅周期的范围为200~280nm,占空比为1:1;所述凹槽深度为光栅深度,所述光栅深度范围为300~420nm。本发明实施例在刻蚀光栅区域时,通过调整RIE设备刻蚀气体流量、腔体压力、射频功率等参数,克服了刻蚀过程中的Lag效应,刻蚀出深宽比达到3:1的光栅图形,获得预设深宽比光栅,光栅的深宽比高,光栅耦合系数大,可替代均匀光栅结构最小光栅区长度的取样光栅,节省EBL制作成本,缩短制作周期。 |
申请日期 | 2018-06-21 |
专利号 | CN108933382A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201810644976.0 |
公开(公告)号 | CN108933382A |
IPC 分类号 | H01S5/125 | G02B5/18 |
专利代理人 | 王莹 | 吴欢燕 |
代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92284 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨帆,胡忞远,赵建宜,等. 一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法. CN108933382A[P]. 2018-12-04. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN108933382A.PDF(810KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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