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一种微盘拉曼激光器及其制作方法
其他题名一种微盘拉曼激光器及其制作方法
姜校顺; 李昊; 程欣宇; 顾佳新; 肖敏
2018-11-30
专利权人南京大学
公开日期2018-11-30
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明实施例公开了一种微盘拉曼激光器及其制作方法。其中,微盘拉曼激光器包括:在基板上涂布光刻胶;其中,所述基板包括半导体基底,所述半导体基底上形成有氧化物半导体层;将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜,对所述光刻胶进行光刻和显影,获取光刻胶圆盘;以所述光刻胶圆盘作为掩膜,对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀,获取氧化物半导体微盘;对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗;以所述氧化物半导体微盘作为掩模,刻蚀所述半导体基底,形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。本发明实施例提供的技术方案,可解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高,重复性差的问题。
其他摘要本发明实施例公开了一种微盘拉曼激光器及其制作方法。其中,微盘拉曼激光器包括:在基板上涂布光刻胶;其中,所述基板包括半导体基底,所述半导体基底上形成有氧化物半导体层;将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜,对所述光刻胶进行光刻和显影,获取光刻胶圆盘;以所述光刻胶圆盘作为掩膜,对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀,获取氧化物半导体微盘;对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗;以所述氧化物半导体微盘作为掩模,刻蚀所述半导体基底,形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。本发明实施例提供的技术方案,可解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高,重复性差的问题。
申请日期2018-07-27
专利号CN108923245A
专利状态申请中
申请号CN201810847942.1
公开(公告)号CN108923245A
IPC 分类号H01S5/02
专利代理人孟金喆
代理机构北京品源专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92282
专题半导体激光器专利数据库
作者单位南京大学
推荐引用方式
GB/T 7714
姜校顺,李昊,程欣宇,等. 一种微盘拉曼激光器及其制作方法. CN108923245A[P]. 2018-11-30.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN108923245A.PDF(913KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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