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太赫兹量子级联激光器中陷阱式双声子有源区能级结构的设计方法
其他题名太赫兹量子级联激光器中陷阱式双声子有源区能级结构的设计方法
陈长水; 李金锋; 王腾飞; 周文辉; 莘杰
2018-11-30
专利权人华南师范大学
公开日期2018-11-30
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了太赫兹量子级联激光器中陷阱式双声子有源区能级结构的设计方法,包括步骤:(1)设计太赫兹量子级联激光器有源区一个周期的阱宽势垒宽度;(2)通过薛定谔方程求解有源区能级,确定能级分布以及是否符合设计要求;(3)求解有源区速率方程,获得激光器有源区的输出特性,以此来验证设计可行性。该方法使用薛定谔求解量子阱能级理论进行计算,以此来确定能级位置的准确性,能够解决太赫兹量子级联激光器中电子因温度过高而导致的热激发,热泄露的问题,以此来获得更高的激光器操作温度和输出特性。
其他摘要本发明公开了太赫兹量子级联激光器中陷阱式双声子有源区能级结构的设计方法,包括步骤:(1)设计太赫兹量子级联激光器有源区一个周期的阱宽势垒宽度;(2)通过薛定谔方程求解有源区能级,确定能级分布以及是否符合设计要求;(3)求解有源区速率方程,获得激光器有源区的输出特性,以此来验证设计可行性。该方法使用薛定谔求解量子阱能级理论进行计算,以此来确定能级位置的准确性,能够解决太赫兹量子级联激光器中电子因温度过高而导致的热激发,热泄露的问题,以此来获得更高的激光器操作温度和输出特性。
申请日期2018-07-12
专利号CN108923258A
专利状态申请中
申请号CN201810760732.9
公开(公告)号CN108923258A
IPC 分类号H01S5/34
专利代理人宣国华 | 高文龙
代理机构广州知友专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92281
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华南师范大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陈长水,李金锋,王腾飞,等. 太赫兹量子级联激光器中陷阱式双声子有源区能级结构的设计方法. CN108923258A[P]. 2018-11-30.
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