一种脊波导电极开窗的方法

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	一种脊波导电极开窗的方法
其他题名	一种脊波导电极开窗的方法
	曲迪; 白国人; 陈墨; 靳春艳; 宋学颍
	2018-11-20
专利权人	华慧芯科技(天津)有限公司
公开日期	2018-11-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种脊波导电极开窗的方法，包括：步骤：S1、对晶元上沉积的波导层进行刻蚀，形成脊波导结构及脊波导结构两侧的结构；S2、在脊波导结构及脊波导结构两侧结构的上表面生成电解质绝缘层；S3、在电解质绝缘层上涂覆下光刻胶，该下光刻胶的上表面高出脊波导结构的上表面；S4、在下光刻胶的上表面沉积金属介质层；S5、在金属介质层的上表面旋涂上光刻胶，利用掩膜版对脊波导结构上方的上光刻胶进行曝光和显影；S6、去除脊波导结构上方的金属介质层；S7、干法刻蚀去除上光刻胶和下光刻胶层；S8、去除脊波导结构上方的电解质绝缘层；S9、通过lift‑off工艺，去除电解质绝缘层上方的下光刻胶及金属介质层。
其他摘要	本发明公开了一种脊波导电极开窗的方法，包括：步骤：S1、对晶元上沉积的波导层进行刻蚀，形成脊波导结构及脊波导结构两侧的结构；S2、在脊波导结构及脊波导结构两侧结构的上表面生成电解质绝缘层；S3、在电解质绝缘层上涂覆下光刻胶，该下光刻胶的上表面高出脊波导结构的上表面；S4、在下光刻胶的上表面沉积金属介质层；S5、在金属介质层的上表面旋涂上光刻胶，利用掩膜版对脊波导结构上方的上光刻胶进行曝光和显影；S6、去除脊波导结构上方的金属介质层；S7、干法刻蚀去除上光刻胶和下光刻胶层；S8、去除脊波导结构上方的电解质绝缘层；S9、通过lift‑off工艺，去除电解质绝缘层上方的下光刻胶及金属介质层。
申请日期	2018-06-26
专利号	CN108847574A
专利状态	申请中
申请号	CN201810670126.8
公开（公告）号	CN108847574A
IPC 分类号	H01S5/22 \| G03F7/16
专利代理人	蒙建军
代理机构	天津市鼎和专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92276
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华慧芯科技(天津)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	曲迪,白国人,陈墨,等. 一种脊波导电极开窗的方法. CN108847574A[P]. 2018-11-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108847574A.PDF（482KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文