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一种非掺杂自发辐射光放大薄膜器件及其制备方法
其他题名一种非掺杂自发辐射光放大薄膜器件及其制备方法
赖文勇; 陆婷婷; 黄维
2018-11-16
专利权人南京邮电大学
公开日期2018-11-16
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种非掺杂自发辐射光放大薄膜器件及其制备方法,属于激光技术领域。该薄膜器件由高性能增益介质和衬底组成,其特征在于优选单分散的多臂结构三并茚衍生物作为增益介质;在较宽的激发波长范围内,该薄膜器件均能实现有效的光放大以及优异的光稳定性和热稳定性。本发明的非掺杂的自发辐射放大薄膜器件工艺简单、成本低廉,具有高增益、低阈值等优点,可应用于实现高性能有机激光器件。
其他摘要本发明公开了一种非掺杂自发辐射光放大薄膜器件及其制备方法,属于激光技术领域。该薄膜器件由高性能增益介质和衬底组成,其特征在于优选单分散的多臂结构三并茚衍生物作为增益介质;在较宽的激发波长范围内,该薄膜器件均能实现有效的光放大以及优异的光稳定性和热稳定性。本发明的非掺杂的自发辐射放大薄膜器件工艺简单、成本低廉,具有高增益、低阈值等优点,可应用于实现高性能有机激光器件。
申请日期2018-06-12
专利号CN108832482A
专利状态申请中
申请号CN20181060112X
公开(公告)号CN108832482A
IPC 分类号H01S5/187
专利代理人张婷婷
代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92274
专题半导体激光器专利数据库
作者单位南京邮电大学
推荐引用方式
GB/T 7714
赖文勇,陆婷婷,黄维. 一种非掺杂自发辐射光放大薄膜器件及其制备方法. CN108832482A[P]. 2018-11-16.
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