一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器及其制备方法

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	一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器及其制备方法
其他题名	一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器及其制备方法
	林琦; 林中晞; 陈景源; 朱振国; 钟杏丽; 苏辉
	2018-11-13
专利权人	中国科学院福建物质结构研究所
公开日期	2018-11-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器及其制备方法，其中，单纵横模激光器包括：上包层、上波导层、有源区、下波导层和下包层；其中，下包层、下波导层、有源区、上波导层和上包层从下往上依次设置；所述下波导层或者下包层内具有周期分布的第一光栅，所述上波导层或者上包层内具有周期分布的第二光栅，所述第二光栅与所述第一光栅具有相互正交的排布方式。本发明提供的基于正交光栅结构的单纵横模激光器，利用位于有源区上下两个波导层中相互正交的周期光栅进行模式选择，实现单纵横模的输出，改善激光器的光束质量，提高输出功率。
其他摘要	本发明涉及一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器及其制备方法，其中，单纵横模激光器包括：上包层、上波导层、有源区、下波导层和下包层；其中，下包层、下波导层、有源区、上波导层和上包层从下往上依次设置；所述下波导层或者下包层内具有周期分布的第一光栅，所述上波导层或者上包层内具有周期分布的第二光栅，所述第二光栅与所述第一光栅具有相互正交的排布方式。本发明提供的基于正交光栅结构的单纵横模激光器，利用位于有源区上下两个波导层中相互正交的周期光栅进行模式选择，实现单纵横模的输出，改善激光器的光束质量，提高输出功率。
申请日期	2018-07-10
专利号	CN108808443A
专利状态	申请中
申请号	CN201810751784.X
公开（公告）号	CN108808443A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/343
专利代理人	张祖萍
代理机构	北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92268
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院福建物质结构研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	林琦,林中晞,陈景源,等. 一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器及其制备方法. CN108808443A[P]. 2018-11-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108808443A.PDF（372KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文