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多波长混合集成光发射阵列
其他题名多波长混合集成光发射阵列
祝宁华; 黄庆超; 陈伟; 刘建国
2018-11-01
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2018-11-01
授权国家世界知识产权组织
专利类型发明申请
摘要一种多波长混合集成光反射阵列,包括多个光处理单元,每个光处理单元包括:一有源光器件(1),包含第一衬底(11),第一衬底材料为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,用于发射激光;一分束光波导(2),包含第二衬底(21),第二衬底的材料与第一衬底相同,用于将激光分束,形成分束激光。有源光器件和分束光波导的衬底为同一Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,减少了不同材料耦合造成的光损耗,有利于降低光发射阵列的功耗,且改善了多波长混合集成光发射阵列的制备工艺和尺寸。
其他摘要一种多波长混合集成光反射阵列,包括多个光处理单元,每个光处理单元包括:一有源光器件(1),包含第一衬底(11),第一衬底材料为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,用于发射激光;一分束光波导(2),包含第二衬底(21),第二衬底的材料与第一衬底相同,用于将激光分束,形成分束激光。有源光器件和分束光波导的衬底为同一Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,减少了不同材料耦合造成的光损耗,有利于降低光发射阵列的功耗,且改善了多波长混合集成光发射阵列的制备工艺和尺寸。
申请日期2018-04-20
专利号WO2018196689A1
专利状态未确认
申请号PCT/CN2018/083892
公开(公告)号WO2018196689A1
IPC 分类号H01S5/026 | H04J14/02 | G02B6/122
专利代理人中科专利商标代理有限责任公司
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92262
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
祝宁华,黄庆超,陈伟,等. 多波长混合集成光发射阵列. WO2018196689A1[P]. 2018-11-01.
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