电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法

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	电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法
其他题名	电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法
	李亚节; 周旭亮; 王梦琦; 王鹏飞; 孟芳媛; 李召松; 于红艳; 潘教青
	2018-11-02
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-11-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开提供了一种电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅，在二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀SOI衬底，在矩形沟槽的下方腐蚀出V形沟槽；在V形沟槽和矩形沟槽中生长III‑V族激光器外延结构并将顶部抛光；刻蚀III‑V族激光器外延结构和矩形沟槽两边的二氧化硅，形成FP腔；沉积二氧化硅隔离层，刻蚀掉FP腔端面以外的二氧化硅隔离层，使二氧化硅隔离层覆盖在FP腔端面上；制备P电极金属图形和N电极金属图形；在FP腔上表面、P电极金属图形和二氧化硅隔离层之间的III‑V族激光器外延结构上制备二阶耦合光栅。本公开电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，工艺简单，易于实现，制造成本低。
其他摘要	本公开提供了一种电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅，在二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀SOI衬底，在矩形沟槽的下方腐蚀出V形沟槽；在V形沟槽和矩形沟槽中生长III‑V族激光器外延结构并将顶部抛光；刻蚀III‑V族激光器外延结构和矩形沟槽两边的二氧化硅，形成FP腔；沉积二氧化硅隔离层，刻蚀掉FP腔端面以外的二氧化硅隔离层，使二氧化硅隔离层覆盖在FP腔端面上；制备P电极金属图形和N电极金属图形；在FP腔上表面、P电极金属图形和二氧化硅隔离层之间的III‑V族激光器外延结构上制备二阶耦合光栅。本公开电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，工艺简单，易于实现，制造成本低。
申请日期	2018-06-12
专利号	CN108736314A
专利状态	申请中
申请号	CN201810600079.X
公开（公告）号	CN108736314A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/40 \| H01S5/30 \| H01S5/12
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92258
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李亚节,周旭亮,王梦琦,等. 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法. CN108736314A[P]. 2018-11-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108736314A.PDF（784KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文