一种发光二极管外延结构及其矩阵式激光器器件

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	一种发光二极管外延结构及其矩阵式激光器器件
其他题名	一种发光二极管外延结构及其矩阵式激光器器件
	叶浩文; 李锋; 吉爱华; 黄明学
	2018-11-02
专利权人	深圳市光脉电子有限公司
公开日期	2018-11-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明通过设置BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层，并在内掺杂有硼，以及设置P﹣BAlGaAs/BGaAs‑DBR层和P+GaAs帽层的厚度，好让电子和电洞有足够的空间，增强发光效率；通过采用钛涂覆的低成本硅衬片层,组成TiSi片，来生长长波段红光，不仅能让二极管变得易于扩展，还能结合钛金属层带来的诸多优势，包括更高的反射、更好的热耗散，还能使BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层仍能保持效率毫无衰减地作业；通过在BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层两侧各设置一层DBR，使N﹣BAlGaAs/BGaAs‑DBR层和所述P﹣BAlGaAs/BGaAs‑DBR层构成F‑P谐振腔，对BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层发出的光进行调制，使得更多的光能量达到能发射出来的发射角，因而提高了出光效率，发光效率可以达到单层DBR层的20倍；通过设置矩阵式的激光器器件，满足了高功率及超高功率应用的需求，最大功率可以达到500瓦。
其他摘要	本发明通过设置BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层，并在内掺杂有硼，以及设置P﹣BAlGaAs/BGaAs‑DBR层和P+GaAs帽层的厚度，好让电子和电洞有足够的空间，增强发光效率；通过采用钛涂覆的低成本硅衬片层,组成TiSi片，来生长长波段红光，不仅能让二极管变得易于扩展，还能结合钛金属层带来的诸多优势，包括更高的反射、更好的热耗散，还能使BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层仍能保持效率毫无衰减地作业；通过在BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层两侧各设置一层DBR，使N﹣BAlGaAs/BGaAs‑DBR层和所述P﹣BAlGaAs/BGaAs‑DBR层构成F‑P谐振腔，对BAlGaAs/BInGaAs‑QW有源层发出的光进行调制，使得更多的光能量达到能发射出来的发射角，因而提高了出光效率，发光效率可以达到单层DBR层的20倍；通过设置矩阵式的激光器器件，满足了高功率及超高功率应用的需求，最大功率可以达到500瓦。
申请日期	2018-05-15
专利号	CN108736317A
专利状态	申请中
申请号	CN201810461147.9
公开（公告）号	CN108736317A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/30
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92257
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	深圳市光脉电子有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	叶浩文,李锋,吉爱华,等. 一种发光二极管外延结构及其矩阵式激光器器件. CN108736317A[P]. 2018-11-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108736317A.PDF（317KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文