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一种金属-半导体复合结构、SPPs激发方式及制备方法
其他题名一种金属-半导体复合结构、SPPs激发方式及制备方法
陆培祥; 胡宏波; 王凯; 龙华; 王兵
2018-10-16
专利权人华中科技大学
公开日期2018-10-16
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种金属‑半导体复合结构、SPPs激发方法及制备方法,结构依次包括:透明基底,位于透明基底上的多层介质膜,位于多层介质膜表面的半导体纳米结构,覆盖于半导体纳米结构上的透明介质薄膜以及位于透明介质薄膜上的金属薄膜;半导体纳米结构用于形成金属薄膜表面纳米尺度的缺陷,并产生荧光信号以激发金属SPPs;透明基底和多层介质膜构成双色镜衬底,双色镜衬底对激光高透且对荧光高反;激发方法包括:将波长相对较短的激光透过双色镜衬底后垂直入射到所述半导体纳米结构上,以激发半导体纳米结构产生波长相对较长的单光子荧光信号,进而由荧光信号激发金属薄膜的SPPs。本发明能够提高SPPs的激发效率并降低SPPs的探测难度和探测成本。
其他摘要本发明公开了一种金属‑半导体复合结构、SPPs激发方法及制备方法,结构依次包括:透明基底,位于透明基底上的多层介质膜,位于多层介质膜表面的半导体纳米结构,覆盖于半导体纳米结构上的透明介质薄膜以及位于透明介质薄膜上的金属薄膜;半导体纳米结构用于形成金属薄膜表面纳米尺度的缺陷,并产生荧光信号以激发金属SPPs;透明基底和多层介质膜构成双色镜衬底,双色镜衬底对激光高透且对荧光高反;激发方法包括:将波长相对较短的激光透过双色镜衬底后垂直入射到所述半导体纳米结构上,以激发半导体纳米结构产生波长相对较长的单光子荧光信号,进而由荧光信号激发金属薄膜的SPPs。本发明能够提高SPPs的激发效率并降低SPPs的探测难度和探测成本。
申请日期2018-05-09
专利号CN108666865A
专利状态申请中
申请号CN201810434917.0
公开(公告)号CN108666865A
IPC 分类号H01S5/10 | B82Y40/00
专利代理人曹葆青 | 李智
代理机构华中科技大学专利中心
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92251
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华中科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陆培祥,胡宏波,王凯,等. 一种金属-半导体复合结构、SPPs激发方式及制备方法. CN108666865A[P]. 2018-10-16.
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