基于模斑转换结构的超辐射发光二极管

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	基于模斑转换结构的超辐射发光二极管
其他题名	基于模斑转换结构的超辐射发光二极管
	郭文涛; 谭满清; 熊迪; 赵亚利; 曹营春; 万丽丽; 刘珩
	2018-10-02
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-10-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开提供了一种基于模斑转换结构的超辐射发光二极管，包括：n‑InP衬底；无源波导层，设置于n‑InP衬底上；有源区，设置于无源波导层上，用于发射激光，包括应变量子阱和设置于应变量子阱上的势垒层；波导结构，设置于有源区上，所述波导结构包括：斜三角吸收区，设置于一端；增益区，紧邻斜三角吸收区设置；以及模斑转换结构，紧邻增益区设置，是宽度渐变的楔形波导结构，用于将有源区发射的激光低损耗地耦合进无源波导层；以及电极，设置于超辐射发光二极管器件上部脊结构的表面，与波导结构的增益区上下对应，用于对超辐射发光二极管进行电注入，提高了超辐射发光二极管和外接光纤的耦合效率，又提高了其偏调允差，降低了耦合封装工艺难度。
其他摘要	本公开提供了一种基于模斑转换结构的超辐射发光二极管，包括：n‑InP衬底；无源波导层，设置于n‑InP衬底上；有源区，设置于无源波导层上，用于发射激光，包括应变量子阱和设置于应变量子阱上的势垒层；波导结构，设置于有源区上，所述波导结构包括：斜三角吸收区，设置于一端；增益区，紧邻斜三角吸收区设置；以及模斑转换结构，紧邻增益区设置，是宽度渐变的楔形波导结构，用于将有源区发射的激光低损耗地耦合进无源波导层；以及电极，设置于超辐射发光二极管器件上部脊结构的表面，与波导结构的增益区上下对应，用于对超辐射发光二极管进行电注入，提高了超辐射发光二极管和外接光纤的耦合效率，又提高了其偏调允差，降低了耦合封装工艺难度。
申请日期	2018-04-24
专利号	CN108616034A
专利状态	申请中
申请号	CN201810375658.9
公开（公告）号	CN108616034A
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/00
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92244
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郭文涛,谭满清,熊迪,等. 基于模斑转换结构的超辐射发光二极管. CN108616034A[P]. 2018-10-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108616034A.PDF（438KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文