Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
差频太赫兹量子级联激光器 | |
其他题名 | 差频太赫兹量子级联激光器 |
程凤敏; 张锦川; 刘峰奇; 卓宁; 王利军; 刘俊岐; 刘舒曼; 王占国 | |
2018-08-03 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2018-08-03 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供了一种差频太赫兹量子级联激光器,包括:有源区,位于所述衬底上方,所述有源区包括自下而上的多周期级联的量子点有源层,各周期量子点有源层包括多个自下而上的InGaAs/InAlAs量子阱/垒对,以及位于每两个InGaAs/InAlAs量子阱/垒对之间插入的量子点插层,所述量子点插层包括应变自组织量子点InAs层和用于应变补偿的GaAs层。本发明引入多周期级联的量子点有源层,基于量子点的“声子瓶颈”效应和非均匀展宽,能够改善差频太赫兹量子级联激光器的性能,如功率、转化效率、调谐范围以及阈值电流密度等。 |
其他摘要 | 本发明提供了一种差频太赫兹量子级联激光器,包括:有源区,位于所述衬底上方,所述有源区包括自下而上的多周期级联的量子点有源层,各周期量子点有源层包括多个自下而上的InGaAs/InAlAs量子阱/垒对,以及位于每两个InGaAs/InAlAs量子阱/垒对之间插入的量子点插层,所述量子点插层包括应变自组织量子点InAs层和用于应变补偿的GaAs层。本发明引入多周期级联的量子点有源层,基于量子点的“声子瓶颈”效应和非均匀展宽,能够改善差频太赫兹量子级联激光器的性能,如功率、转化效率、调谐范围以及阈值电流密度等。 |
申请日期 | 2018-03-13 |
专利号 | CN108365518A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201810207975.X |
公开(公告)号 | CN108365518A |
IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/34 |
专利代理人 | 任岩 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92225 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程凤敏,张锦川,刘峰奇,等. 差频太赫兹量子级联激光器. CN108365518A[P]. 2018-08-03. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN108365518A.PDF(856KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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