Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 双色单光子源结构的制备方法及制备的结构 | |
| 其他题名 | 双色单光子源结构的制备方法及制备的结构 |
| 喻颖; 李彦; 吴泽儒; 陈晓添; 余思远 | |
| 2018-08-03 | |
| 专利权人 | 中山大学 |
| 公开日期 | 2018-08-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种双色单光子源结构的制备方法，包括有以下步骤：S在半导体衬底上生长并制备纳米线单量子点结构；S2.对纳米线单量子点结构进行部分平整化，露出纳米线顶端的应力小岛；S3.使用机械剥离法制作二维薄膜，并将二维薄膜转移至应力小岛上，完成制备。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种双色单光子源结构的制备方法，包括有以下步骤：S在半导体衬底上生长并制备纳米线单量子点结构；S2.对纳米线单量子点结构进行部分平整化，露出纳米线顶端的应力小岛；S3.使用机械剥离法制作二维薄膜，并将二维薄膜转移至应力小岛上，完成制备。 |
| 申请日期 | 2018-01-03 |
| 专利号 | CN108365517A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201810004934.0 |
| 公开（公告）号 | CN108365517A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | B82Y20/00 | B82Y40/00 |
| 专利代理人 | 林丽明 |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92224 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中山大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 喻颖,李彦,吴泽儒,等. 双色单光子源结构的制备方法及制备的结构. CN108365517A[P]. 2018-08-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN108365517A.PDF（519KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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