电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法

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	电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法
其他题名	电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法
	黄永光; 张瑞康; 王宝军; 朱洪亮
	2018-07-03
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-07-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种电吸收调制激光器(EML)集成器件的整片结构及其制作测试方法，属于半导体光电子领域，EML集成器件整片结构为格栅构造，在晶圆上外延生长激光器的多量子阱(MQW)和调制器的MQW，EML器件单元包括激光器MQW和调制器MQW而阵列排布；围绕EML器件单元设置沟槽结构，其侧壁面为镜面而其底部为减反射面；在EML器件单元的前/后端面分别形成有减/高反射介质膜，该前/后端面为调制器MQW/激光器MQW一侧的端面。本整片结构在测试时，不需要巴条解理，利用沟槽侧壁镜面和沟槽底部减反射面的组合(进一步减/高反射介质膜与减反射面的组合)，实现该EML器件单元的有效出光，不仅使测试数据诊断和收集更快捷，而且降低EML集成器件制作成本。
其他摘要	本发明提供了一种电吸收调制激光器(EML)集成器件的整片结构及其制作测试方法，属于半导体光电子领域，EML集成器件整片结构为格栅构造，在晶圆上外延生长激光器的多量子阱(MQW)和调制器的MQW，EML器件单元包括激光器MQW和调制器MQW而阵列排布；围绕EML器件单元设置沟槽结构，其侧壁面为镜面而其底部为减反射面；在EML器件单元的前/后端面分别形成有减/高反射介质膜，该前/后端面为调制器MQW/激光器MQW一侧的端面。本整片结构在测试时，不需要巴条解理，利用沟槽侧壁镜面和沟槽底部减反射面的组合(进一步减/高反射介质膜与减反射面的组合)，实现该EML器件单元的有效出光，不仅使测试数据诊断和收集更快捷，而且降低EML集成器件制作成本。
申请日期	2018-03-05
专利号	CN108242763A
专利状态	申请中
申请号	CN201810178924.9
公开（公告）号	CN108242763A
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/34 \| H01S5/22 \| H01S5/042
专利代理人	谢海燕
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92220
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	黄永光,张瑞康,王宝军,等. 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法. CN108242763A[P]. 2018-07-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108242763A.PDF（1200KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文