Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种单片硅基发射器 | |
| 其他题名 | 一种单片硅基发射器 |
| 冯朋; 肖希; 王磊; 陈代高; 余少华 | |
| 2018-06-19 | |
| 专利权人 | 武汉邮电科学研究院 |
| 公开日期 | 2018-06-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种单片硅基发射器，涉及硅光子与光电子集成领域。该发射器包括：一个集成到硅基平台的激光器；一个形成于硅波导端面的尖端模斑匹配器；一个作为MZI调制器输入端的硅波导双锥分束器，该硅波导双锥分束器与尖端模斑匹配器相连；两个分别形成于MZI调制器两臂上的热电极和/或两个分别形成于MZI调制器两臂上的高频电极；一个形成于MZI调制器输出端后面的MMI分束器，该MMI分束器分出有两个输出端口；以及一个形成于硅基平台，且与MMI分束器其中一个输出端口连接的背光探测器。本发明不但实现了激光器与调制器在硅基平台单片集成，而且制作成本低、工艺简单、集成度高且利于大规模生产。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种单片硅基发射器，涉及硅光子与光电子集成领域。该发射器包括：一个集成到硅基平台的激光器；一个形成于硅波导端面的尖端模斑匹配器；一个作为MZI调制器输入端的硅波导双锥分束器，该硅波导双锥分束器与尖端模斑匹配器相连；两个分别形成于MZI调制器两臂上的热电极和/或两个分别形成于MZI调制器两臂上的高频电极；一个形成于MZI调制器输出端后面的MMI分束器，该MMI分束器分出有两个输出端口；以及一个形成于硅基平台，且与MMI分束器其中一个输出端口连接的背光探测器。本发明不但实现了激光器与调制器在硅基平台单片集成，而且制作成本低、工艺简单、集成度高且利于大规模生产。 |
| 申请日期 | 2017-12-26 |
| 专利号 | CN108183390A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201711437304.4 |
| 公开（公告）号 | CN108183390A |
| IPC 分类号 | H01S5/026 |
| 专利代理人 | 张雯俐 |
| 代理机构 | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92217 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉邮电科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯朋,肖希,王磊,等. 一种单片硅基发射器. CN108183390A[P]. 2018-06-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN108183390A.PDF（543KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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