Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法 |
| 周旭亮; 李召松; 王梦琦; 王嘉琪; 于红艳; 潘教青; 王圩 | |
| 2018-06-01 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2018-06-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法，该制备方法包括：在硅衬底上依次外延生长锗层、成核层、缓冲层和激光器外延层；对所述激光器外延层的波导区域进行阱层混杂工艺；在所述激光器外延层上刻蚀形成耦合波导和至少两种尺寸大小的微腔，以分别对应激光器阵列至少两种不同的发射波长；完成所述多波长硅基微腔激光器阵列的制备。本发明涉及光通信器件领域，通过超高真空化学气相沉积与MOCVD的相结合，制作成硅基微腔激光器，通过控制微腔尺寸实现不同的波长输出，应用于硅基光电集成与硅基光子学。 |
| 其他摘要 | 一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法，该制备方法包括：在硅衬底上依次外延生长锗层、成核层、缓冲层和激光器外延层；对所述激光器外延层的波导区域进行阱层混杂工艺；在所述激光器外延层上刻蚀形成耦合波导和至少两种尺寸大小的微腔，以分别对应激光器阵列至少两种不同的发射波长；完成所述多波长硅基微腔激光器阵列的制备。本发明涉及光通信器件领域，通过超高真空化学气相沉积与MOCVD的相结合，制作成硅基微腔激光器，通过控制微腔尺寸实现不同的波长输出，应用于硅基光电集成与硅基光子学。 |
| 申请日期 | 2016-11-25 |
| 专利号 | CN108110618A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201611063925.6 |
| 公开（公告）号 | CN108110618A |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/343 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92211 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周旭亮,李召松,王梦琦,等. 一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法. CN108110618A[P]. 2018-06-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN108110618A.PDF（169KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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