基于SOI结构的热不敏感激光器

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	基于SOI结构的热不敏感激光器
其他题名	基于SOI结构的热不敏感激光器
	李伟龙; 张永干; 孙雨舟
	2018-05-25
专利权人	苏州旭创科技有限公司
公开日期	2018-05-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请揭示了一种基于SOI结构的热不敏感激光器，包括SOI结构、位于SOI结构上且对应设置的第一反射结构和第二反射结构、以及位于SOI结构上第一反射结构和第二发射结构之间的激光发射器件及负温度系数波导，SOI结构包括位于底层的硅衬底、中间的绝缘层及位于顶层的硅，顶层的硅在第一反射结构和第二反射结构之间形成有硅波导，激光发射器件作为激光器的有源区，负温度系数波导用于对激光器的正向折射率变化进行补偿，以使光线的波长稳定在预设范围内。本申请的激光器具有热不敏感的特征，通过负温度系数波导进行补偿，能调节整个激光器中的折射率在不同的温度下保持不变，激光器的输出波长保持不变。
其他摘要	本申请揭示了一种基于SOI结构的热不敏感激光器，包括SOI结构、位于SOI结构上且对应设置的第一反射结构和第二反射结构、以及位于SOI结构上第一反射结构和第二发射结构之间的激光发射器件及负温度系数波导，SOI结构包括位于底层的硅衬底、中间的绝缘层及位于顶层的硅，顶层的硅在第一反射结构和第二反射结构之间形成有硅波导，激光发射器件作为激光器的有源区，负温度系数波导用于对激光器的正向折射率变化进行补偿，以使光线的波长稳定在预设范围内。本申请的激光器具有热不敏感的特征，通过负温度系数波导进行补偿，能调节整个激光器中的折射率在不同的温度下保持不变，激光器的输出波长保持不变。
申请日期	2016-11-16
专利号	CN108075356A
专利状态	申请中
申请号	CN201611032904.8
公开（公告）号	CN108075356A
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/22
专利代理人	杨林洁
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92206
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州旭创科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李伟龙,张永干,孙雨舟. 基于SOI结构的热不敏感激光器. CN108075356A[P]. 2018-05-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108075356A.PDF（322KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文