集成光电器件及其制作方法

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	集成光电器件及其制作方法
其他题名	集成光电器件及其制作方法
	钱波; 黄思敏; 丰雪; 王文浩; 李令英; 林光慧; 李鹏; 张小飞; 钟正根; 周岩; 谢永林
	2018-05-22
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2018-05-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种集成光电器件的制作方法，其包括：在衬底上形成波导及位于波导一侧的导电金属层；形成覆盖衬底、波导以及导电金属层的绝缘层；在绝缘层中形成暴露出导电金属层的凹槽；在凹槽中形成与导电金属层接触的导电高分子材料层，以形成下电极；在绝缘层上形成封闭凹槽的开口且与下电极接触的量子点微腔；在量子点微腔上形成上电极。本发明还提供了一种利用该制作方法制作的集成光电器件。本发明通过墨滴喷射技术同时实现胶体量子点的引入和光学微腔的构筑，并通过MEMS实现高品质的硅波导的制作，实现集成光电器件的制作。
其他摘要	本发明提供了一种集成光电器件的制作方法，其包括：在衬底上形成波导及位于波导一侧的导电金属层；形成覆盖衬底、波导以及导电金属层的绝缘层；在绝缘层中形成暴露出导电金属层的凹槽；在凹槽中形成与导电金属层接触的导电高分子材料层，以形成下电极；在绝缘层上形成封闭凹槽的开口且与下电极接触的量子点微腔；在量子点微腔上形成上电极。本发明还提供了一种利用该制作方法制作的集成光电器件。本发明通过墨滴喷射技术同时实现胶体量子点的引入和光学微腔的构筑，并通过MEMS实现高品质的硅波导的制作，实现集成光电器件的制作。
申请日期	2016-11-09
专利号	CN108063363A
专利状态	申请中
申请号	CN201610983968
公开（公告）号	CN108063363A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/347 \| H01S5/026
专利代理人	孙伟峰 \| 武岑飞
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92205
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钱波,黄思敏,丰雪,等. 集成光电器件及其制作方法. CN108063363A[P]. 2018-05-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108063363A.PDF（425KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文