含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置

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	含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置
其他题名	含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置
	尚飞; 杨皓宇; 李善文
	2018-04-10
专利权人	青岛海信宽带多媒体技术有限公司
公开日期	2018-04-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置，涉及半导体技术领域。该含铝多量子阱激光芯片的制造方法包括：在基板上生成含铝的多量子阱层；借助于刻蚀阻挡层对多量子阱层进行刻蚀以生成台面结构；在预定水浴温度下采用钝化剂对所述台面结构进行浸泡，以实现对所述含铝的多量子阱层界面的钝化处理；在包含经钝化处理后的所述含铝的多量子阱层界面的所述台面结构上生成反向阻挡层；以及去除刻蚀阻挡层并在反向阻挡层和台面结构上依次形成包层和电接触层。本公开可以防止含铝多量子阱被氧化，进而提高激光芯片的可靠性。
其他摘要	本发明公开了一种含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置，涉及半导体技术领域。该含铝多量子阱激光芯片的制造方法包括：在基板上生成含铝的多量子阱层；借助于刻蚀阻挡层对多量子阱层进行刻蚀以生成台面结构；在预定水浴温度下采用钝化剂对所述台面结构进行浸泡，以实现对所述含铝的多量子阱层界面的钝化处理；在包含经钝化处理后的所述含铝的多量子阱层界面的所述台面结构上生成反向阻挡层；以及去除刻蚀阻挡层并在反向阻挡层和台面结构上依次形成包层和电接触层。本公开可以防止含铝多量子阱被氧化，进而提高激光芯片的可靠性。
申请日期	2017-12-05
专利号	CN107895746A
专利状态	授权
申请号	CN201711270242.2
公开（公告）号	CN107895746A
IPC 分类号	H01L31/0352 \| H01L31/18 \| H01S5/34
专利代理人	邢雪红 \| 乔彬
代理机构	北京律智知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92186
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	青岛海信宽带多媒体技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	尚飞,杨皓宇,李善文. 含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置. CN107895746A[P]. 2018-04-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107895746A.PDF（193KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文