一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源
其他题名	一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源
	张保平; 梅洋; 许荣彬; 翁国恩; 应磊莹; 郑志威
	2018-03-30
专利权人	厦门大学
公开日期	2018-03-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为：衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。
其他摘要	一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为：衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。
申请日期	2017-11-03
专利号	CN107863688A
专利状态	申请中
申请号	CN201711072492.5
公开（公告）号	CN107863688A
IPC 分类号	H01S5/187 \| H01S5/34 \| H01S5/065
专利代理人	马应森
代理机构	厦门南强之路专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92184
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张保平,梅洋,许荣彬,等. 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源. CN107863688A[P]. 2018-03-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107863688A.PDF（403KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文